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PECVD系統(tǒng)由管式爐

PECVD系統(tǒng)由管式爐

時(shí)間：2020-07-20 16:39:12

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PECVD系統(tǒng)由管式爐,石英真空管、真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)等組成。 PECVD 系統(tǒng)主要應(yīng)用于金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復(fù)合薄膜,石墨烯等生長(zhǎng)。 洛陽西格馬可生產(chǎn)1200度實(shí)驗(yàn)用小型PECVD、1200度實(shí)驗(yàn)用雙溫區(qū)管式爐小型PECVD、低真空CVD系統(tǒng)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。

PECVD系統(tǒng)與CVD有什么區(qū)別？
氣相沉積法化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用*為廣泛的用來沉積多種材 料的技術(shù)， 包括大范 圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
CVD 技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓 CVD(LPCVD)，常壓 CVD(APCVD)，亞常壓 CVD(SACVD)，超高真空 CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng) CVD(PECVD)，高密度等離子體 CVD(HDPCVD) 以及快熱 CVD(RTCVD)。
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).
PVD和熱錨點(diǎn)CVD相比，PECVD可以在相對(duì)較低的溫度（小于350℃）下沉積出高均勻性薄膜。此外，對(duì)于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉積，等離子沉積技術(shù)提供了優(yōu)秀的薄膜性能控制（折射率、硬度等）。
1200度實(shí)驗(yàn)用小型PECVD系統(tǒng)用途
1200度實(shí)驗(yàn)用小型PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
1200度實(shí)驗(yàn)用小型PECVD系統(tǒng)系統(tǒng)配置；
1、1200度開啟式滑動(dòng)單溫區(qū)真空管式爐
2、等離子射頻電源
3、多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
4、真空系統(tǒng)（單獨(dú)購(gòu)買）
1200度實(shí)驗(yàn)用小型PECVD系統(tǒng)特性：
可實(shí)現(xiàn)手動(dòng)滑動(dòng)或自動(dòng)滑動(dòng)、氣路數(shù)量2-5可選擇；溫度范圍寬；濺射區(qū)域長(zhǎng)；整管可調(diào)；精致小巧，性價(jià)比高，可實(shí)現(xiàn)快速升降溫，是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯，陶瓷薄膜，金屬薄膜，復(fù)合薄膜等的不錯(cuò)的選擇，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。